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Electronic Structure of the Topological Insulator Bi2Se3 Using Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy: Evidence for a Nearly Full Surface Spin Polarization

机译:拓扑绝缘子Bi2se3的电子结构   角度分辨光电子能谱:几乎全表面的证据   自旋极化

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摘要

We performed high-resolution spin- and angle-resolved photoemissionspectroscopy studies of the electronic structure and the spin texture on thesurface of Bi$_2$Se$_3$, a model topological insulator. By tuning the photonenergy, we found that the topological surface state is well separated from thebulk states in the vicinity of $k_z=Z$ plane of the bulk Brillouin zone. Thespin-resolved measurements in that region indicate a very high degree of spinpolarization of the surface state, $\sim 0.75$, much higher than previouslyreported. Our results demonstrate that the topological surface state onBi$_2$Se$_3$ is highly spin polarized and that the dominant factors limitingthe polarization are mainly extrinsic.
机译:我们对模型拓扑绝缘体Bi $ _2 $ Se $ _3 $的表面上的电子结构和自旋纹理进行了高分辨率的自旋和角度分辨光发射光谱研究。通过调节光能,我们发现在整体布里渊区的$ k_z = Z $平面附近,拓扑表面状态与本体状态完全隔离。在该区域中的自旋分辨测量表明表面状态的自旋极化程度非常高,$ sim 0.75 $,远远高于先前报道的水平。我们的结果表明,Bi $ _2 $ Se $ _3 $的拓扑表面状态是高度自旋极化的,而限制极化的主要因素主要是外在的。

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